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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BF998
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-289
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BF908WR,115, 40 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BF908WR,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  626-2428
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BF992,215, 40 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BF992,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2484
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK8V03040L, 12 A, Vds=33 V, 8引脚 WMini8-F1封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  FK8V03040L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8243
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BSS169
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2844
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK293(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  3SK293(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0388
  
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• Panasonic 双 N沟道 MOSFET 晶体管 FC4B21080L, 4引脚 ULGA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  FC4B21080L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7602
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH2825-TL-E, 1.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  SCH2825-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9532
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET LND150N8-G, 30 mA, Vds=500 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  LND150N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3253
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN3535N8-G, 230 mA, Vds=350 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  DN3535N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3354
  
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• Microchip N沟道 MOSFET 晶体管 LND150K1-G, 13 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  LND150K1-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3415
  
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• Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  LND01K1-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  912-5259
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2625DK6-G, 1.1 A, Vds=250 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  DN2625DK6-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  916-3725
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BSP149
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5720
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BF991,215, 20 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BF991,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2462
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK6K02010L, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  FK6K02010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  728-6857
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP129, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BSP129
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2800
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2841
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8403160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  SK8403160L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7627
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603170L, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  SK8603170L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7646
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  SK8603190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7658
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  EFC4615R-TR
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0875
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8254
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN1509N8-G, 360 mA, Vds=90 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  DN1509N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3314
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2530N3-G, 175 mA, Vds=300 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：通道模式 消耗,
• 制造商零件编号：
  DN2530N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3320
  
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