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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 2.4 x 0.83mm
典型关断延迟时间	46 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型输入电容值@Vds	750 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	7.2 nC @ 4.5 V
封装类型	WMini8-F1
高度	0.83mm
宽度	2.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	8
最大功率耗散	1.5 W
最大连续漏极电流	12 A
最大漏源电压	33 V
最大漏源电阻值	19 mΩ
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• FK8V0304, MOS FETs (For Power Management)