BF998,509-289,NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装 ,NXP
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装

制造商零件编号:
BF998
制造商:
NXP NXP
库存编号:
509-289
NXP BF998
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BF998产品详细信息

双栅极射频 MOSFET 晶体管,Nexperia

BF998产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1mm  
  典型输入电容值@Vds  1.2 pF @ 8 V(网关 2),2.1 pF @ 8 V(网关 1)  
  封装类型  SC-61B  
  高度  1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大连续漏极电流  30 mA  
  最大漏源电压  12 V  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±6 V  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

BF998相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  NXP 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.4 x 1mm  NXP 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm   典型输入电容值@Vds 1.2 pF @ 8 V(网关 2),2.1 pF @ 8 V(网关 1)  NXP 典型输入电容值@Vds 1.2 pF @ 8 V(网关 2),2.1 pF @ 8 V(网关 1)  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.2 pF @ 8 V(网关 2),2.1 pF @ 8 V(网关 1)  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.2 pF @ 8 V(网关 2),2.1 pF @ 8 V(网关 1)   封装类型 SC-61B  NXP 封装类型 SC-61B  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-61B  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SC-61B   高度 1mm  NXP 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  NXP 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 射频 MOSFET  NXP 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  NXP 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 4  NXP 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 200 mW  NXP 最大功率耗散 200 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大连续漏极电流 30 mA  NXP 最大连续漏极电流 30 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA   最大漏源电压 12 V  NXP 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大栅阈值电压 2V  NXP 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±6 V  NXP 最大栅源电压 ±6 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±6 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±6 V   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BF998产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号