产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ48NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9957
搜索
Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF8010LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4132
查看其他仓库
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5194
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6258
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2414
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC019N04NSG, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PG-TDSON封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC019N04NSGATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0172
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB13N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9856
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQA36P15, 36 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA36P15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4938
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SiHB24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9316
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E08N1, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72E08N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5109
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5185
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6252
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ48NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4797
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5176
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4410ZPBF, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI4410ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3972
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8558SDC, 90 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8558SDC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8420
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7740PBF, 87 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7740PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3328
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 72 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK72A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2439
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SiHG24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9335
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8558S, 90 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8558S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9196
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK65A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2410
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