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安装类型	通孔
长度	10.16mm
尺寸	10.16 x 4.45 x 15.1mm
典型关断延迟时间	85 ns
典型接通延迟时间	44 ns
典型输入电容值@Vds	5400 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	81 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	15.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.45mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	192 W
最大连续漏极电流	148 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	4.8 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK65E10N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
• TK65E10N1 N-Channel MOSFET Data Sheet