产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
FDS6930B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0655
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7799L2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5397
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
PMN40LN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8411
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6314
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
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Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
SIA449DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1213
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF320N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF320N06L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8600
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5061
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW77N65M5, 69 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
STW77N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0635
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH76N60NF, 73 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
FCH76N60NF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-3206
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG70N60EF-GE3, 70 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG70N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4475
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76423P3, 33 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
HUF76423P3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8714
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ROHM P沟道 Si MOSFET RQ1A070ZPTR, 7 A, Vds=12 V, 8引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
RQ1A070ZPTR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7737
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN38EN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
PMN38EN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8417
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ECH8419-TL-H, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
ECH8419-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0813
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF3860T, 20 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF3860T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3611
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 38 mΩ,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6563
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