RQ1A060ZPTR全国供应商 RQ1A060ZPTR资料| Datasheet|价格【ROHM】
ROHM RQ1A060ZPTR PDF
| 数据列表 |
RQ1A060ZP |
|---|---|
| 产品相片 |
TSMT8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 |
RQ1A060ZPTR-ND RQ1A060ZPTRTR |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 |
单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
| RQ1A060ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 库存数 / 价格 / 订货 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8 型号：RQ1A060ZPTR 仓库库存编号：RQ1A060ZPTRCT-ND 别名：RQ1A060ZPTRCT |
无铅 |
595 可立即发货 可于1-2周内送达 1 + ￥11.84 更多价格信息... |
购买 |
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RR264M-400TR | Rohm Semiconductor | DIODE 400V 0.7A SOD-123 | 分离式半导体 > 单二极管/整流器 | //www.szcwdz.com/IC_R/RR264M-400TR.htm |
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RR274EA-400TR | ROHM Semiconductor | DIODE RECT DUAL 400V 0.5A SC-74 | 分离式半导体 > 整流器阵列 | //www.szcwdz.com/IC_R/RR274EA-400TR.htm |
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RRH040P03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRH040P03TB1.htm |
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RRH075P03TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRH075P03TB1.htm |
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RRH140P03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRH140P03TB1.htm |
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RRQ030P03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRQ030P03TR.htm |
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RRQ045P03TR | ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRQ045P03TR.htm |
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RRR030P03TL | ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | //www.szcwdz.com/IC_R/RRR030P03TL.htm |
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ROHM朝向机械设备用的开关电源、太阳能发电站输出功率控制器及UPS等的逆变电源、转化器，开发设计出额定值1200V 400A、600A的全SiC输出功率控制模块"BSM400D12P3G002"、"BSM600D12P3G001"。
业务受理时间：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00以前的订单当日发货，17:00往后的订单第二天发货（周日、节假日顺延），推荐合作货运物流：顺丰速递。速递费用：23元。
联系方式
本产品根据ROHM特有的控制模块构造及热管散热设计构思提升，保持了600A额定电压，从而，在机械设备用大空间开关电源等更功率产品中的运用变成将会。另一个，与一般的同样额定电压的IGBT控制模块对比，开关损耗减少了64%（集成ic溫度150℃时），这十分有利于运用的深化环保节能。值得一提的是，因为可高频率驱动器，还有益于外场电子器件和制冷系统等的实用化。比如，依据水冷却组织中的耗损模拟仿真开展测算，与同样额定电压的IGBT控制模块对比，应用SiC控制模块可让水冷散热器的容积降低88%。
本控制模块将于2017年6月刚开始售卖试品。早期工艺流程的生产地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），中后期工艺流程的生产地为ROHM总公司加工厂（日本京都）。
1200V 600A产品、PWM逆变电源驱动器、电源开关頻率20kHz、导热硅胶薄厚40μm下列、热管散热器规格型号选用销售市场上可得到信息内容的产品、别的溫度标准等同样时
近些年，SiC以其出色的环保节能实际效果而在汽车和机械设备等应用领域日渐普遍，而且销售市场对更大电流量SiC产品的要求愈来愈充沛。以便较大底限地充分发挥SiC产品的优点--髙速电源开关特性，特别是在是输出功率控制模块这种额定电压很大的产品，必须开发设计抑制作用电源开关时浪涌电压危害的新封裝。
2012年3月，ROHM于全球第一家刚开始烧录内嵌的输出功率半导体材料元器件所有由碳化硅构成的全SiC输出功率控制模块。之后，陆续开发设计出直至1200V、300A额定电压的产品系列，在诸多行业中被广泛选用。在IGBT控制模块销售市场，ROHM有着遮盖关键额定电压范畴100A到600A的全SiC控制模块产品陣容，预估将来的要求会深化提高。
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