TPCA8107-H(TE12L,Q,M),415-427,Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装 ,Toshiba
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Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装

制造商零件编号:
TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
415-427
Toshiba TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TPCA8107-H(TE12L,Q,M)产品详细信息

MOSFET P 通道,TPC 系列,Toshiba

TPCA8107-H(TE12L,Q,M)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 5 x 0.95mm  
  典型输入电容值@Vds  1190 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 5 V,27 nC @ 10 V  
  封装类型  SOP 高级  
  高度  0.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2800 mW  
  最大连续漏极电流  7.5 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  30 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

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