NSVT489AMT1G,805-2983,ON Semiconductor NSVT489AMT1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装 ,ON Semiconductor
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NSVT489AMT1G
ON Semiconductor NSVT489AMT1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号：
NSVT489AMT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-2983
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NSVT489AMT1G产品详细信息
通用 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NSVT489AMT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型
TSOP
高度
1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
每片芯片元件数目
1
汽车标准
AEC-Q101
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
1.75 W
最大基极-发射极饱和电压
1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.2 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
50 V
最大直流集电极电流
2 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
300
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NSVT489AMT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 3.1mm
ON Semiconductor 长度 3.1mm
双极晶体管 长度 3.1mm
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尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型 TSOP
ON Semiconductor 封装类型 TSOP
双极晶体管 封装类型 TSOP
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TSOP
高度 1mm
ON Semiconductor 高度 1mm
双极晶体管 高度 1mm
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晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.7mm
ON Semiconductor 宽度 1.7mm
双极晶体管 宽度 1.7mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.7mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 汽车标准 AEC-Q101
双极晶体管 汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 双极晶体管 汽车标准 AEC-Q101
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 1.75 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.75 W
双极晶体管 最大功率耗散 1.75 W
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最大基极-发射极饱和电压 1.1 V
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 300
ON Semiconductor 最小直流电流增益 300
双极晶体管 最小直流电流增益 300
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 300
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NSVT489AMT1G产品技术参数资料
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