产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nexperia BC807DS, 双 PNP 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
BC807DS
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0800
搜索
ON Semiconductor NSS30201MR6T1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:200, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NSS30201MR6T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1775
搜索
ON Semiconductor NSVT489AMT1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NSVT489AMT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-2983
搜索
ON Semiconductor MBT35200MT1G , PNP 晶体管, 2 A, Vce=35 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
MBT35200MT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
806-2548
搜索
Nexperia BC817DPN, 双 NPN,PNP 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 100 MHz, 6引脚 SOT-457封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
BC817DPN
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7704
搜索
ON Semiconductor NSM4002MR6T1G, 双 NPN 晶体管, 0.2 A,0.5 A, Vce=40 V,45 V, HFE:100, 300(最小)MHz, 6针 SC-74封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NSM4002MR6T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
842-7936
搜索
ON Semiconductor NSS30071MR6T1G , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:150, 6引脚 SC-74封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NSS30071MR6T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4487
搜索
NXP PMD9003D,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMD9003D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-453
搜索
NXP PMD9001D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMD9001D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-790
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMN40LN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8411
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ON Semiconductor N/P沟道 MOSFET 晶体管 NTGD4167CT1G, 2.2 A,2.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NTGD4167CT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0560
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS4111PT1G, 4.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NTGS4111PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5252
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTGS3441T1G, 1.65 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NTGS3441T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6280
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NTGS3446T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4221
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3142
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SI3993CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3189
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN20EN, 6.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMN20EN
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6906
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
SI3865DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4270
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN34UN,135, 4.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMN34UN,135
品牌:
NXP
库存编号:
725-8414
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Nexperia Si P沟道 MOSFET PMN50XP,165, 4.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
PMN50XP,165
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8423
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS5120PT1G, 2.9 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm,
制造商零件编号:
NTGS5120PT1G
品牌:
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