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EM6K1T2R

Rohm半导体 FET - 阵列EM6K1T2R-Rohm代理商

 场效应管  MOSFET EMT6 双N沟道
 晶体管极性  双N沟道
 电流, Id 连续  10mA
 漏源电压, Vds  30V
 在电阻RDS(上)  8ohm
 电压 @ Rds测量  4V
 阈值电压, Vgs th 典型值  1.5V
 功耗, Pd  150mW
 工作温度最小值  -55°C
 工作温度最高值  150°C
 封装类型  EMT
 针脚数  6
 SVHC(高度关注物质)  No SVHC (19-Dec-2012)
 封装/箱盒  EMT6
 工作温度范围  -55°C 至 +150°C
 晶体管类型  小信号
 模块配置  双
 漏极电流, Id 最大值  100mA
 漏源电压 Vds, N沟道  30V
 电压 Vgs @ Rds on 测量  4V
 电压, Vds 典型值  30V
 表面安装器件  SMD
 连续漏极电流 Id, N沟道  100mA
 通态电阻 Rds(on), N沟道  5ohm

 

Rohm半导体 FET - 阵列-Rohm代理商

半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。

 

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