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RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR   ROHM全系列索引
制造商型号: RQ1A060ZPTR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
技术参考: Rohs  ROHM RQ1A060ZPTR PDF
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息

数据列表 RQ1A060ZP
产品相片 TSMT8
标准包装   3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装   带卷 (TR)  
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss) 12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) 23 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 34nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2800pF @ 6V
功率 - 最大值 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TSMT8
其它名称 RQ1A060ZPTR-ND
RQ1A060ZPTRTR
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型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 查看库存、价格及货期
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作

Rohm Semiconductor - RQ1A060ZPTR - MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:RQ1A060ZPTR
仓库库存编号:RQ1A060ZPTRCT-ND
别名:RQ1A060ZPTRCT 
无铅 595 可立即发货 
可于1-2周内送达
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品牌资讯

ROHM朝向机械设备用的开关电源、太阳能发电站输出功率控制器及UPS等的逆变电源、转化器,开发设计出额定值1200V 400A、600A的全SiC输出功率控制模块"BSM400D12P3G002"、"BSM600D12P3G001"。
本产品根据ROHM特有的控制模块构造及热管散热设计构思提升,保持了600A额定电压,从而,在机械设备用大空间开关电源等更功率产品中的运用变成将会。另一个,与一般的同样额定电压的IGBT控制模块对比,开关损耗减少了64%(集成ic溫度150℃时),这十分有利于运用的深化环保节能。值得一提的是,因为可高频率驱动器,还有益于外场电子器件和制冷系统等的实用化。比如,依据水冷却组织中的耗损模拟仿真开展测算,与同样额定电压的IGBT控制模块对比,应用SiC控制模块可让水冷散热器的容积降低88%。
本控制模块将于2017年6月刚开始售卖试品。早期工艺流程的生产地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),中后期工艺流程的生产地为ROHM总公司加工厂(日本京都)。
1200V 600A产品、PWM逆变电源驱动器、电源开关頻率20kHz、导热硅胶薄厚40μm下列、热管散热器规格型号选用销售市场上可得到信息内容的产品、别的溫度标准等同样时
近些年,SiC以其出色的环保节能实际效果而在汽车和机械设备等应用领域日渐普遍,而且销售市场对更大电流量SiC产品的要求愈来愈充沛。以便较大底限地充分发挥SiC产品的优点--髙速电源开关特性,特别是在是输出功率控制模块这种额定电压很大的产品,必须开发设计抑制作用电源开关时浪涌电压危害的新封裝。
2012年3月,ROHM于全球第一家刚开始烧录内嵌的输出功率半导体材料元器件所有由碳化硅构成的全SiC输出功率控制模块。之后,陆续开发设计出直至1200V、300A额定电压的产品系列,在诸多行业中被广泛选用。在IGBT控制模块销售市场,ROHM有着遮盖关键额定电压范畴100A到600A的全SiC控制模块产品陣容,预估将来的要求会深化提高。

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