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MD51V65165E-50TAZ0AR

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制造商型号: MD51V65165E-50TAZ0AR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 MD51V65165E
标准包装 1,170
类别 集成电路 (IC)
家庭 存储器
系列 -
包装 托盘
格式 - 存储器 RAM
存储器类型 DRAM
存储容量 64M(4M x 16)
速度 50ns
接口 并联
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
工作温度 0°C ~ 70°C
封装/外壳 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装 50-TSOP II
其它名称 MD51V65165E-50TA03A7
MD51V65165E-50TA03A7-ND
MD51V65165E50TAZ0AR
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Rohm Semiconductor - MD51V65165E-50TAZ0AR - IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
Rohm Semiconductor
IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP

详细描述:DRAM 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 25ns 50-TSOP II
型号:MD51V65165E-50TAZ0AR
仓库库存编号:MD51V65165E-50TAZ-ND
别名:MD51V65165E-50TA03A7
MD51V65165E-50TA03A7-ND
MD51V65165E-50TAZ
MD51V65165E-50TAZ0AR-ND
MD51V65165E50TAZ0AR
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品牌资讯

ROHM旗下蓝碧石半导体材料开发设计出适用13节串连充电电池的锂电池监控器LSI"ML5245",十分适用销售市场日渐扩张的电动车、电动平衡车及电动式加入购物车等LEV的锂电池组。
ML5245是适用高达13节串连充电电池、不用微控制器操纵的独立型充电电池监控器LSI。因为不用技术专业且用时耗力的微控制器软件开发,进而使锂电池组的开发设计更非常容易,有利于减少顾客的商品开发进度。另一个,在充电电池监控器LSI的基本要素基本上,还提升温度测量作用、蓄电池充电用FET (NMOS-FET) 的超温避免作用、充放电用FET的强制性OFF作用、充电电池工作电压载入作用几大作用,不但具有充电电池监控器作用,更添加外场电源电路的作用,全面提高了系统软件的可信性及其锂电池组的安全系数。值得一提的是,危害长期性储放时用电量耗费的关闭时耗费电流量仅为0.1μA。
本LSI于2017年4月刚开始售卖试品,方案于2017年7月起以月产10万个的经营规模开展烧录。早期工艺流程的生产地为蓝碧石半导体材料宫崎株式会社(日本宫崎县),中后期工艺流程的生产地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. (菲律宾)。
蓝碧石半导体材料将来将运用多节电池串连构造的锂电池组用充电电池监控器LSI,再次考虑顾客对机械设备销售市场的高工作电压充电电池视频监控系统的要求。

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