ESD5381MUT5G,882-9698,ON Semiconductor ESD5381MUT5G 单向 TVS 二极管, 0.3W, 10.5V, 2针 DFN封装 ,ON Semiconductor
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ESD5381MUT5G
ON Semiconductor ESD5381MUT5G 单向 TVS 二极管, 0.3W, 10.5V, 2针 DFN封装
制造商零件编号：
ESD5381MUT5G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
882-9698
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ESD5381MUT5G产品详细信息
瞬态电压抑制器二极管，用于 ESD 保护，ESD 系列
设计用于保护 ESD（静电放电）电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间，为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。
ESD5381MUT5G产品技术参数
ESD 电压
8kV
ESD保护
是
安装类型
表面贴装
测试电流
1mA
长度
0.66mm
尺寸
0.66 x 0.36 x 0.28mm
电容值
13pF
二极管配置
单路
方向类型
单向
封装类型
DFN
峰值脉冲功率耗散
0.3W
高度
0.28mm
工作电压
3V
宽度
0.36mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
2
最大反向待机电压
3V
最大反向漏电流
100nA
最大峰值脉冲电流
1A
最大钳位电压
10.5V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小击穿电压
6.1V
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ESD5381MUT5G相关搜索
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TVS 二极管 ESD 电压 8kV
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安装类型 表面贴装
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长度 0.66mm
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TVS 二极管 长度 0.66mm
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尺寸 0.66 x 0.36 x 0.28mm
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TVS 二极管 尺寸 0.66 x 0.36 x 0.28mm
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电容值 13pF
ON Semiconductor 电容值 13pF
TVS 二极管 电容值 13pF
ON Semiconductor TVS 二极管 电容值 13pF
二极管配置 单路
ON Semiconductor 二极管配置 单路
TVS 二极管 二极管配置 单路
ON Semiconductor TVS 二极管 二极管配置 单路
方向类型 单向
ON Semiconductor 方向类型 单向
TVS 二极管 方向类型 单向
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封装类型 DFN
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TVS 二极管 封装类型 DFN
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峰值脉冲功率耗散 0.3W
ON Semiconductor 峰值脉冲功率耗散 0.3W
TVS 二极管 峰值脉冲功率耗散 0.3W
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高度 0.28mm
ON Semiconductor 高度 0.28mm
TVS 二极管 高度 0.28mm
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工作电压 3V
ON Semiconductor 工作电压 3V
TVS 二极管 工作电压 3V
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宽度 0.36mm
ON Semiconductor 宽度 0.36mm
TVS 二极管 宽度 0.36mm
ON Semiconductor TVS 二极管 宽度 0.36mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
TVS 二极管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor TVS 二极管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 2
ON Semiconductor 引脚数目 2
TVS 二极管 引脚数目 2
ON Semiconductor TVS 二极管 引脚数目 2
最大反向待机电压 3V
ON Semiconductor 最大反向待机电压 3V
TVS 二极管 最大反向待机电压 3V
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最大反向漏电流 100nA
ON Semiconductor 最大反向漏电流 100nA
TVS 二极管 最大反向漏电流 100nA
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最大峰值脉冲电流 1A
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TVS 二极管 最大峰值脉冲电流 1A
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最大钳位电压 10.5V
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TVS 二极管 最大钳位电压 10.5V
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最低工作温度 -55 °C
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TVS 二极管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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TVS 二极管 最高工作温度 +150 °C
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最小击穿电压 6.1V
ON Semiconductor 最小击穿电压 6.1V
TVS 二极管 最小击穿电压 6.1V
ON Semiconductor TVS 二极管 最小击穿电压 6.1V
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ESD5381MUT5G产品技术参数资料
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