593D107X0010D2TE3,852-3090,Vishay 593D 系列 100μF ±20% SMD 钽电容器 593D107X0010D2TE3, 10 V 直流, 7343-31 封装, 125mΩ ESR, +125 (With Derating)°C ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay 593D 系列 100μF ±20% SMD 钽电容器 593D107X0010D2TE3, 10 V 直流, 7343-31 封装, 125mΩ ESR, +125 (With Derating)°C

制造商零件编号:
593D107X0010D2TE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
852-3090
Vishay 593D107X0010D2TE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

593D107X0010D2TE3产品详细信息

593D 系列

Vishay 593D 固体钽电容器为薄型 Tantamount 表面安装芯片,具有保护涂层。 593D 系列提供较宽的电容值和额定电压范围,提供低 ESR 和最大 CV,适用于广泛的应用。
这些钽电容器是容积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长工作寿命为主要考虑事项的应用的首选。

表面安装
较高的温度额定值

尺寸 (mm)
外壳代码LWHP ±0.3Tw ±0.1TH 最小值
A3.2 ±0.21.6 ±0.21.6 ±0.20.81.20.7
B3.5 ±0.22.8 ±0.21.9 ±0.20.82.20.7
C6.0 ±0.33.2 ±0.32.5 ±0.31.32.21.0
D7.3 ±0.34.3 ±0.32.8 ±0.31.32.41.0
E7.3 ±0.34.3 ±0.34.0 ±0.31.32.41.0

593D107X0010D2TE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  7.3mm  
  尺寸  7.3 x 4.3 x 2.8mm  
  等值串联电阻值  125mΩ  
  电解质类型  固体  
  电容值  100 μF  
  电压  10 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  7343-31  
  高度  2.8mm  
  技术  MnO2  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  4.3mm  
  系列  593D  
  泄漏电流  10 μA  
  最低工作温度  -55 (With Derating)°C  
  最高工作温度  +125 (With Derating)°C  
关键词         

593D107X0010D2TE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  钽电容器 安装类型 表面贴装  Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装   长度 7.3mm  Vishay 长度 7.3mm  钽电容器 长度 7.3mm  Vishay 钽电容器 长度 7.3mm   尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm  Vishay 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm  钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm  Vishay 钽电容器 尺寸 7.3 x 4.3 x 2.8mm   等值串联电阻值 125mΩ  Vishay 等值串联电阻值 125mΩ  钽电容器 等值串联电阻值 125mΩ  Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 125mΩ   电解质类型 固体  Vishay 电解质类型 固体  钽电容器 电解质类型 固体  Vishay 钽电容器 电解质类型 固体   电容值 100 μF  Vishay 电容值 100 μF  钽电容器 电容值 100 μF  Vishay 钽电容器 电容值 100 μF   电压 10 V 直流  Vishay 电压 10 V 直流  钽电容器 电压 10 V 直流  Vishay 钽电容器 电压 10 V 直流   端子类型 表面安装  Vishay 端子类型 表面安装  钽电容器 端子类型 表面安装  Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 7343-31  Vishay 封装/外壳 7343-31  钽电容器 封装/外壳 7343-31  Vishay 钽电容器 封装/外壳 7343-31   高度 2.8mm  Vishay 高度 2.8mm  钽电容器 高度 2.8mm  Vishay 钽电容器 高度 2.8mm   技术 MnO2  Vishay 技术 MnO2  钽电容器 技术 MnO2  Vishay 钽电容器 技术 MnO2   容差 ±20%  Vishay 容差 ±20%  钽电容器 容差 ±20%  Vishay 钽电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  Vishay 容差 负 -20%  钽电容器 容差 负 -20%  Vishay 钽电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  Vishay 容差 正 +20%  钽电容器 容差 正 +20%  Vishay 钽电容器 容差 正 +20%   深度 4.3mm  Vishay 深度 4.3mm  钽电容器 深度 4.3mm  Vishay 钽电容器 深度 4.3mm   系列 593D  Vishay 系列 593D  钽电容器 系列 593D  Vishay 钽电容器 系列 593D   泄漏电流 10 μA  Vishay 泄漏电流 10 μA  钽电容器 泄漏电流 10 μA  Vishay 钽电容器 泄漏电流 10 μA   最低工作温度 -55 (With Derating)°C  Vishay 最低工作温度 -55 (With Derating)°C  钽电容器 最低工作温度 -55 (With Derating)°C  Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55 (With Derating)°C   最高工作温度 +125 (With Derating)°C  Vishay 最高工作温度 +125 (With Derating)°C  钽电容器 最高工作温度 +125 (With Derating)°C  Vishay 钽电容器 最高工作温度 +125 (With Derating)°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

593D107X0010D2TE3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号