199D685X9035DYV1E3,831-0172,Vishay 199D 系列 6.8μF ±10% 通孔 钽电容器 199D685X9035DYV1E3, 35 V 直流, D 封装, +85°C ,Vishay
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199D685X9035DYV1E3
Vishay 199D 系列 6.8μF ±10% 通孔 钽电容器 199D685X9035DYV1E3, 35 V 直流, D 封装, +85°C
制造商零件编号:
199D685X9035DYV1E3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
831-0172
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
199D685X9035DYV1E3产品技术参数
安装类型
通孔
尺寸
6 (Dia.) x 10.16mm
电解质类型
固体
电容值
6.8 μF
电压
35 V 直流
端子类型
通孔安装
封装/外壳
D
高度
10.16mm
技术
MnO2
容差
±10%
容差 负
-10%
容差 正
+10%
系列
199D
泄漏电流
2.3 μA
引线节距
2.54mm
引线直径
0.51mm
直径
6mm
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+85°C
关键词
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安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
钽电容器 安装类型 通孔
Vishay 钽电容器 安装类型 通孔
尺寸 6 (Dia.) x 10.16mm
Vishay 尺寸 6 (Dia.) x 10.16mm
钽电容器 尺寸 6 (Dia.) x 10.16mm
Vishay 钽电容器 尺寸 6 (Dia.) x 10.16mm
电解质类型 固体
Vishay 电解质类型 固体
钽电容器 电解质类型 固体
Vishay 钽电容器 电解质类型 固体
电容值 6.8 μF
Vishay 电容值 6.8 μF
钽电容器 电容值 6.8 μF
Vishay 钽电容器 电容值 6.8 μF
电压 35 V 直流
Vishay 电压 35 V 直流
钽电容器 电压 35 V 直流
Vishay 钽电容器 电压 35 V 直流
端子类型 通孔安装
Vishay 端子类型 通孔安装
钽电容器 端子类型 通孔安装
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封装/外壳 D
Vishay 封装/外壳 D
钽电容器 封装/外壳 D
Vishay 钽电容器 封装/外壳 D
高度 10.16mm
Vishay 高度 10.16mm
钽电容器 高度 10.16mm
Vishay 钽电容器 高度 10.16mm
技术 MnO2
Vishay 技术 MnO2
钽电容器 技术 MnO2
Vishay 钽电容器 技术 MnO2
容差 ±10%
Vishay 容差 ±10%
钽电容器 容差 ±10%
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容差 负 -10%
Vishay 容差 负 -10%
钽电容器 容差 负 -10%
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容差 正 +10%
Vishay 容差 正 +10%
钽电容器 容差 正 +10%
Vishay 钽电容器 容差 正 +10%
系列 199D
Vishay 系列 199D
钽电容器 系列 199D
Vishay 钽电容器 系列 199D
泄漏电流 2.3 μA
Vishay 泄漏电流 2.3 μA
钽电容器 泄漏电流 2.3 μA
Vishay 钽电容器 泄漏电流 2.3 μA
引线节距 2.54mm
Vishay 引线节距 2.54mm
钽电容器 引线节距 2.54mm
Vishay 钽电容器 引线节距 2.54mm
引线直径 0.51mm
Vishay 引线直径 0.51mm
钽电容器 引线直径 0.51mm
Vishay 钽电容器 引线直径 0.51mm
直径 6mm
Vishay 直径 6mm
钽电容器 直径 6mm
Vishay 钽电容器 直径 6mm
最低工作温度 -55°C
Vishay 最低工作温度 -55°C
钽电容器 最低工作温度 -55°C
Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C
最高工作温度 +85°C
Vishay 最高工作温度 +85°C
钽电容器 最高工作温度 +85°C
Vishay 钽电容器 最高工作温度 +85°C
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199D685X9035DYV1E3产品技术参数资料
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