199D106X9035D6V1E3,831-0005,Vishay 199D 系列 10μF ±10% 通孔 钽电容器 199D106X9035D6V1E3, 35 V 直流, D 封装, +85°C ,Vishay
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199D106X9035D6V1E3
Vishay 199D 系列 10μF ±10% 通孔 钽电容器 199D106X9035D6V1E3, 35 V 直流, D 封装, +85°C
制造商零件编号:
199D106X9035D6V1E3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
831-0005
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
199D106X9035D6V1E3产品技术参数
安装类型
通孔
尺寸
6 (Dia.) x 12.66mm
电解质类型
固体
电容值
10 μF
电压
35 V 直流
端子类型
通孔安装
封装/外壳
D
高度
12.66mm
技术
MnO2
容差
±10%
容差 负
-10%
容差 正
+10%
系列
199D
泄漏电流
3.5 μA
引线节距
2.54mm
引线直径
0.51mm
直径
6mm
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+85°C
关键词
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安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
钽电容器 安装类型 通孔
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尺寸 6 (Dia.) x 12.66mm
Vishay 尺寸 6 (Dia.) x 12.66mm
钽电容器 尺寸 6 (Dia.) x 12.66mm
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电解质类型 固体
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钽电容器 电解质类型 固体
Vishay 钽电容器 电解质类型 固体
电容值 10 μF
Vishay 电容值 10 μF
钽电容器 电容值 10 μF
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电压 35 V 直流
Vishay 电压 35 V 直流
钽电容器 电压 35 V 直流
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端子类型 通孔安装
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钽电容器 端子类型 通孔安装
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封装/外壳 D
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钽电容器 封装/外壳 D
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高度 12.66mm
Vishay 高度 12.66mm
钽电容器 高度 12.66mm
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技术 MnO2
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钽电容器 技术 MnO2
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容差 ±10%
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钽电容器 容差 ±10%
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容差 负 -10%
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容差 正 +10%
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钽电容器 容差 正 +10%
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系列 199D
Vishay 系列 199D
钽电容器 系列 199D
Vishay 钽电容器 系列 199D
泄漏电流 3.5 μA
Vishay 泄漏电流 3.5 μA
钽电容器 泄漏电流 3.5 μA
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引线节距 2.54mm
Vishay 引线节距 2.54mm
钽电容器 引线节距 2.54mm
Vishay 钽电容器 引线节距 2.54mm
引线直径 0.51mm
Vishay 引线直径 0.51mm
钽电容器 引线直径 0.51mm
Vishay 钽电容器 引线直径 0.51mm
直径 6mm
Vishay 直径 6mm
钽电容器 直径 6mm
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最低工作温度 -55°C
Vishay 最低工作温度 -55°C
钽电容器 最低工作温度 -55°C
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最高工作温度 +85°C
Vishay 最高工作温度 +85°C
钽电容器 最高工作温度 +85°C
Vishay 钽电容器 最高工作温度 +85°C
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199D106X9035D6V1E3产品技术参数资料
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