595D686X9010B2T,684-4783,Vishay 595D 系列 68μF ±10% SMD 钽电容器 595D686X9010B2T, 10 V 直流, 650mΩ ESR, +85°C ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay 595D 系列 68μF ±10% SMD 钽电容器 595D686X9010B2T, 10 V 直流, 650mΩ ESR, +85°C

制造商零件编号:
595D686X9010B2T
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
684-4783
Vishay 595D686X9010B2T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

595D686X9010B2T产品详细信息

595D 系列

Vishay 595D 固体钽电容器为薄型 Tantamount 表面安装芯片,具有保护涂层。 595D 系列提供较宽的电容值和额定电压范围,提供低 ESR 和最大 CV,适用于广泛的应用。
这些钽电容器是容积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长工作寿命为主要考虑事项的应用的首选。

表面安装
较高的温度额定值

尺寸(毫米)
外壳代码 L W H A B
T 2.0 1.2 1.2 0.5 1.3
B 3.8 2.7 1.8 0.5 2.5
C 6.9 3.2 2.5 1.0 5.1
D 7.2 4.3 2.8 1.2 5.1
R 6.9 8.0 3.5 1.2 4.8

钽线尖表示阳极 (+ve) 接线端子

595D686X9010B2T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4mm  
  尺寸  4 x 2.8 x 1.9mm  
  等值串联电阻值  650mΩ  
  电解质类型  固体  
  电容值  68 μF  
  电压  10 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  高度  1.9mm  
  耗散因数  6%  
  技术  MnO2  
  容差  ±10%  
  容差 负  -10%  
  容差 正  +10%  
  深度  2.8mm  
  系列  595D  
  泄漏电流  6.8 μA  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +85°C  
关键词         

595D686X9010B2T相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  钽电容器 安装类型 表面贴装  Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装   长度 4mm  Vishay 长度 4mm  钽电容器 长度 4mm  Vishay 钽电容器 长度 4mm   尺寸 4 x 2.8 x 1.9mm  Vishay 尺寸 4 x 2.8 x 1.9mm  钽电容器 尺寸 4 x 2.8 x 1.9mm  Vishay 钽电容器 尺寸 4 x 2.8 x 1.9mm   等值串联电阻值 650mΩ  Vishay 等值串联电阻值 650mΩ  钽电容器 等值串联电阻值 650mΩ  Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 650mΩ   电解质类型 固体  Vishay 电解质类型 固体  钽电容器 电解质类型 固体  Vishay 钽电容器 电解质类型 固体   电容值 68 μF  Vishay 电容值 68 μF  钽电容器 电容值 68 μF  Vishay 钽电容器 电容值 68 μF   电压 10 V 直流  Vishay 电压 10 V 直流  钽电容器 电压 10 V 直流  Vishay 钽电容器 电压 10 V 直流   端子类型 表面安装  Vishay 端子类型 表面安装  钽电容器 端子类型 表面安装  Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装   高度 1.9mm  Vishay 高度 1.9mm  钽电容器 高度 1.9mm  Vishay 钽电容器 高度 1.9mm   耗散因数 6%  Vishay 耗散因数 6%  钽电容器 耗散因数 6%  Vishay 钽电容器 耗散因数 6%   技术 MnO2  Vishay 技术 MnO2  钽电容器 技术 MnO2  Vishay 钽电容器 技术 MnO2   容差 ±10%  Vishay 容差 ±10%  钽电容器 容差 ±10%  Vishay 钽电容器 容差 ±10%   容差 负 -10%  Vishay 容差 负 -10%  钽电容器 容差 负 -10%  Vishay 钽电容器 容差 负 -10%   容差 正 +10%  Vishay 容差 正 +10%  钽电容器 容差 正 +10%  Vishay 钽电容器 容差 正 +10%   深度 2.8mm  Vishay 深度 2.8mm  钽电容器 深度 2.8mm  Vishay 钽电容器 深度 2.8mm   系列 595D  Vishay 系列 595D  钽电容器 系列 595D  Vishay 钽电容器 系列 595D   泄漏电流 6.8 μA  Vishay 泄漏电流 6.8 μA  钽电容器 泄漏电流 6.8 μA  Vishay 钽电容器 泄漏电流 6.8 μA   最低工作温度 -55°C  Vishay 最低工作温度 -55°C  钽电容器 最低工作温度 -55°C  Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +85°C  Vishay 最高工作温度 +85°C  钽电容器 最高工作温度 +85°C  Vishay 钽电容器 最高工作温度 +85°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

595D686X9010B2T产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号