293D106X9016A2TE3,684-3890,Vishay 293D 系列 10μF ±10% SMD 钽电容器 293D106X9016A2TE3, 16 V 直流, 3216-18 封装, 3Ω ESR, +125°C ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay 293D 系列 10μF ±10% SMD 钽电容器 293D106X9016A2TE3, 16 V 直流, 3216-18 封装, 3Ω ESR, +125°C

制造商零件编号:
293D106X9016A2TE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
684-3890
Vishay 293D106X9016A2TE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

293D106X9016A2TE3产品详细信息

293D 系列

Vishay 293D 系列工业等级 TANTAMOUNT? 电容器为固体钽质,表面安装,且具有 100% 表面无光泽镀锡终端。 293D 系列提供稳定的电气参数、高可靠性和长工作寿命;它们适用于需要容积效率的应用。

符合 IEC 规格 QC300801/US0001 和 EIA 535BAAC
极性带表示阳极(+ve 接线端子)

尺寸 (mm)
外壳代码 L W H P ±0.3 Tw ±0.1 TH min.
A (1206) 3.2 ±0.2 1.6 ±0.2 1.6 ±0.2 0.8 1.2 0.7
B 3.5 ±0.2 2.8 ±0.2 1.9 ±0.2 0.8 2.2 0.7
C 6.0 ±0.3 3.2 ±0.3 2.5 ±0.3 1.3 2.2 1.0
D 7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 2.8 ±0.3 1.3 2.4 1.0
E 7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 4.0 ±0.3 1.3 2.4 1.0

293D106X9016A2TE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.2mm  
  尺寸  3.2 x 1.6 x 1.6mm  
  等值串联电阻值  3Ω  
  电解质类型  固体  
  电容值  10 μF  
  电压  16 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  3216-18  
  高度  1.6mm  
  耗散因数  6%  
  技术  MnO2  
  容差  ±10%  
  容差 负  -10%  
  容差 正  +10%  
  深度  1.6mm  
  系列  293D  
  泄漏电流  1.6 μA  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

293D106X9016A2TE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  钽电容器 安装类型 表面贴装  Vishay 钽电容器 安装类型 表面贴装   长度 3.2mm  Vishay 长度 3.2mm  钽电容器 长度 3.2mm  Vishay 钽电容器 长度 3.2mm   尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm  Vishay 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm  钽电容器 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm  Vishay 钽电容器 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm   等值串联电阻值 3Ω  Vishay 等值串联电阻值 3Ω  钽电容器 等值串联电阻值 3Ω  Vishay 钽电容器 等值串联电阻值 3Ω   电解质类型 固体  Vishay 电解质类型 固体  钽电容器 电解质类型 固体  Vishay 钽电容器 电解质类型 固体   电容值 10 μF  Vishay 电容值 10 μF  钽电容器 电容值 10 μF  Vishay 钽电容器 电容值 10 μF   电压 16 V 直流  Vishay 电压 16 V 直流  钽电容器 电压 16 V 直流  Vishay 钽电容器 电压 16 V 直流   端子类型 表面安装  Vishay 端子类型 表面安装  钽电容器 端子类型 表面安装  Vishay 钽电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 3216-18  Vishay 封装/外壳 3216-18  钽电容器 封装/外壳 3216-18  Vishay 钽电容器 封装/外壳 3216-18   高度 1.6mm  Vishay 高度 1.6mm  钽电容器 高度 1.6mm  Vishay 钽电容器 高度 1.6mm   耗散因数 6%  Vishay 耗散因数 6%  钽电容器 耗散因数 6%  Vishay 钽电容器 耗散因数 6%   技术 MnO2  Vishay 技术 MnO2  钽电容器 技术 MnO2  Vishay 钽电容器 技术 MnO2   容差 ±10%  Vishay 容差 ±10%  钽电容器 容差 ±10%  Vishay 钽电容器 容差 ±10%   容差 负 -10%  Vishay 容差 负 -10%  钽电容器 容差 负 -10%  Vishay 钽电容器 容差 负 -10%   容差 正 +10%  Vishay 容差 正 +10%  钽电容器 容差 正 +10%  Vishay 钽电容器 容差 正 +10%   深度 1.6mm  Vishay 深度 1.6mm  钽电容器 深度 1.6mm  Vishay 钽电容器 深度 1.6mm   系列 293D  Vishay 系列 293D  钽电容器 系列 293D  Vishay 钽电容器 系列 293D   泄漏电流 1.6 μA  Vishay 泄漏电流 1.6 μA  钽电容器 泄漏电流 1.6 μA  Vishay 钽电容器 泄漏电流 1.6 μA   最低工作温度 -55°C  Vishay 最低工作温度 -55°C  钽电容器 最低工作温度 -55°C  Vishay 钽电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Vishay 最高工作温度 +125°C  钽电容器 最高工作温度 +125°C  Vishay 钽电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

293D106X9016A2TE3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号