23K256-E/SN,823-4447,Microchip 23K256-E/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装 ,Microchip
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Microchip 23K256-E/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装

制造商零件编号：
23K256-E/SN
库存编号：
823-4447
Microchip 23K256-E/SN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

23K256-E/SN产品详细信息

静态 RAM，Microchip

23K256-E/SN产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.5mm  
  存储器大小  256Kbit  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  计时类型  同步  
  宽度  3.9mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  20MHz  
  位址总线宽  16Bit  
  引脚数目  8  
  字组数目  32768  
  组织  32768 x 8 位  
  最长随机存取时间  50ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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23K256-E/SN配套附件

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23K256-E/SN相关搜索

安装类型 表面贴装  Microchip 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Microchip SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Microchip 长度 4.9mm  SRAM 存储器芯片 长度 4.9mm  Microchip SRAM 存储器芯片 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  Microchip 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  Microchip SRAM 存储器芯片 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm   存储器大小 256Kbit  Microchip 存储器大小 256Kbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit  Microchip SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit   封装类型 SOIC  Microchip 封装类型 SOIC  SRAM 存储器芯片 封装类型 SOIC  Microchip SRAM 存储器芯片 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Microchip 高度 1.5mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.5mm  Microchip SRAM 存储器芯片 高度 1.5mm   计时类型 同步  Microchip 计时类型 同步  SRAM 存储器芯片 计时类型 同步  Microchip SRAM 存储器芯片 计时类型 同步   宽度 3.9mm  Microchip 宽度 3.9mm  SRAM 存储器芯片 宽度 3.9mm  Microchip SRAM 存储器芯片 宽度 3.9mm   每字组的位元数目 8Bit  Microchip 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Microchip SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   时钟频率 20MHz  Microchip 时钟频率 20MHz  SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz  Microchip SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz   位址总线宽 16Bit  Microchip 位址总线宽 16Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit  Microchip SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit   引脚数目 8  Microchip 引脚数目 8  SRAM 存储器芯片 引脚数目 8  Microchip SRAM 存储器芯片 引脚数目 8   字组数目 32768  Microchip 字组数目 32768  SRAM 存储器芯片 字组数目 32768  Microchip SRAM 存储器芯片 字组数目 32768   组织 32768 x 8 位  Microchip 组织 32768 x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 32768 x 8 位  Microchip SRAM 存储器芯片 组织 32768 x 8 位   最长随机存取时间 50ns  Microchip 最长随机存取时间 50ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 50ns  Microchip SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 50ns   最大工作电源电压 3.6 V  Microchip 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Microchip SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Microchip 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Microchip SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  Microchip 最高工作温度 +125 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C  Microchip SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Microchip 最小工作电源电压 2.7 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Microchip SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

23K256-E/SN产品技术参数资料

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