IS62WV1288BLL-55TLI,811-5208,ISSI IS62WV1288BLL-55TLI, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8, 2.5 → 3.6 V, 32针 TSOP封装 ,ISSI
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ISSI IS62WV1288BLL-55TLI, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8, 2.5 → 3.6 V, 32针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS62WV1288BLL-55TLI
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
811-5208
ISSI IS62WV1288BLL-55TLI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IS62WV1288BLL-55TLI产品详细信息

静态 RAM，ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS62WV1288BLL-55TLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.5mm  
  尺寸  18.5 x 8.1 x 0.95mm  
  存储器大小  1Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  0.95mm  
  宽度  8.1mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  17Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  128k  
  组织  128k x 8  
  最长随机存取时间  55ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.5 V  
关键词         

IS62WV1288BLL-55TLI相关搜索

安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 18.5mm  ISSI 长度 18.5mm  SRAM 存储器芯片 长度 18.5mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 18.5mm   尺寸 18.5 x 8.1 x 0.95mm  ISSI 尺寸 18.5 x 8.1 x 0.95mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 18.5 x 8.1 x 0.95mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 18.5 x 8.1 x 0.95mm   存储器大小 1Mbit  ISSI 存储器大小 1Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit   低功率 是  ISSI 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 0.95mm  ISSI 高度 0.95mm  SRAM 存储器芯片 高度 0.95mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 0.95mm   宽度 8.1mm  ISSI 宽度 8.1mm  SRAM 存储器芯片 宽度 8.1mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 8.1mm   每字组的位元数目 8Bit  ISSI 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 17Bit  ISSI 位址总线宽 17Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit   引脚数目 32  ISSI 引脚数目 32  SRAM 存储器芯片 引脚数目 32  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 128k  ISSI 字组数目 128k  SRAM 存储器芯片 字组数目 128k  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 128k   组织 128k x 8  ISSI 组织 128k x 8  SRAM 存储器芯片 组织 128k x 8  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 128k x 8   最长随机存取时间 55ns  ISSI 最长随机存取时间 55ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.5 V  ISSI 最小工作电源电压 2.5 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS62WV1288BLL-55TLI产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号