ZXMN6A11GTA,922-8018,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMN6A11GTA
库存编号:
922-8018
DiodesZetex ZXMN6A11GTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMN6A11GTA产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

ZXMN6A11GTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.8mm  
  典型关断延迟时间  8.2 ns  
  典型接通延迟时间  1.95 ns  
  典型输入电容值@Vds  330 pF@ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.7 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  3.9 W  
  最大连续漏极电流  4.4 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  180 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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QQ:800152669

ZXMN6A11GTA产品技术参数资料

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