DMN3053L-7,921-1278,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3053L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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DMN3053L-7
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3053L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
DMN3053L-7
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
921-1278
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMN3053L-7产品详细信息
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
DMN3053L-7产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间
152 ns
典型接通延迟时间
2 ns
典型输入电容值@Vds
676 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
17.2 nC @ 10 V
封装类型
SOT-23
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
1.2V
最大功率耗散
1.2 W
最大连续漏极电流
4 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
0.055 Ω
最大栅阈值电压
1.4V
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.6V
关键词
DMN3053L-7相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
DiodesZetex 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
DiodesZetex 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间 152 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 152 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 152 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 152 ns
典型接通延迟时间 2 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2 ns
典型输入电容值@Vds 676 pF @ 15 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 676 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 676 pF @ 15 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 676 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 17.2 nC @ 10 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 17.2 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.2 nC @ 10 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.2 nC @ 10 V
封装类型 SOT-23
DiodesZetex 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1mm
DiodesZetex 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
DiodesZetex 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 1.2V
DiodesZetex 正向二极管电压 1.2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
最大功率耗散 1.2 W
DiodesZetex 最大功率耗散 1.2 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.2 W
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.2 W
最大连续漏极电流 4 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 4 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A
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最大漏源电压 30 V
DiodesZetex 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 0.055 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 0.055 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.055 Ω
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最大栅阈值电压 1.4V
DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.6V
DiodesZetex 最小栅阈值电压 0.6V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
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DMN3053L-7产品技术参数资料
DMN3053L, N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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