DMT6016LPS-13,921-1173,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT6016LPS-13, 32 A, Vds=60 V, 8引脚 POWERDI5060封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT6016LPS-13, 32 A, Vds=60 V, 8引脚 POWERDI5060封装

制造商零件编号:
DMT6016LPS-13
库存编号:
921-1173
DiodesZetex DMT6016LPS-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMT6016LPS-13产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

DMT6016LPS-13产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 6 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  13 ns  
  典型接通延迟时间  3.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  864 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 10 V  
  封装类型  POWERDI5060  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  最大功率耗散  2.7 W  
  最大连续漏极电流  32 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.024 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMT6016LPS-13产品技术参数资料

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