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安装类型	表面贴装
长度	0.65mm
尺寸	0.65 x 0.85 x 0.35mm
典型关断延迟时间	24.1 ns
典型接通延迟时间	4.5 ns
典型输入电容值@Vds	27.2 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
封装类型	X2-DFN0806
高度	0.35mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.85mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.5V
最大功率耗散	360 mW
最大连续漏极电流	166 A
最大漏源电压	25 V
最大漏源电阻值	13 Ω
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	-8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.65V
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 0.65mm  DiodesZetex 长度 0.65mm  MOSFET 晶体管 长度 0.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 0.65mm   尺寸 0.65 x 0.85 x 0.35mm  DiodesZetex 尺寸 0.65 x 0.85 x 0.35mm  MOSFET 晶体管 尺寸 0.65 x 0.85 x 0.35mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 0.65 x 0.85 x 0.35mm   典型关断延迟时间 24.1 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 24.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 24.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 24.1 ns   典型接通延迟时间 4.5 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns   典型输入电容值@Vds 27.2 pF @ -10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 27.2 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.2 pF @ -10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.2 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.35 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.35 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.35 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.35 nC @ 4.5 V   封装类型 X2-DFN0806  DiodesZetex 封装类型 X2-DFN0806  MOSFET 晶体管 封装类型 X2-DFN0806  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 X2-DFN0806   高度 0.35mm  DiodesZetex 高度 0.35mm  MOSFET 晶体管 高度 0.35mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.35mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.85mm  DiodesZetex 宽度 0.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.5V  DiodesZetex 正向二极管电压 1.5V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.5V   最大功率耗散 360 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 360 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW   最大连续漏极电流 166 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 166 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 166 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 166 A   最大漏源电压 25 V  DiodesZetex 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 13 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 13 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13 Ω   最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 -8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 -8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.65V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 0.65V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.65V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.65V  

• DMP213DUFA, 25V P-Channel Enhancement Mode MOSFET