DMN3016LK3-13,921-1085,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3016LK3-13, 38 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3016LK3-13, 38 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
DMN3016LK3-13
库存编号:
921-1085
DiodesZetex DMN3016LK3-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DMN3016LK3-13产品详细信息

N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc

DMN3016LK3-13产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.2mm  
  尺寸  6.2 x 6.7 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  26.1 ns  
  典型接通延迟时间  4.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  1415 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25.1 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1V  
  最大功率耗散  2.8 W  
  最大连续漏极电流  38 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.016 Ω  
  最大栅阈值电压  2.3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMN3016LK3-13产品技术参数资料

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