APT27HZTR-G1,921-0849,DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27HZTR-G1, 800mA, Vds=800 V, 3引脚 TO-92封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27HZTR-G1, 800mA, Vds=800 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号:
APT27HZTR-G1
库存编号:
921-0849
DiodesZetex APT27HZTR-G1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

APT27HZTR-G1产品详细信息

高电压晶体管,Diodes Inc

APT27HZTR-G1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  4.7mm  
  尺寸  4.7 x 3.7 x 4.7mm  
  封装类型  TO-92  
  高度  4.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  双极功率  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  800 mW  
  最大连续漏极电流  800mA  
  最大漏源电压  800 V  
  最大栅源电压  9 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
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APT27HZTR-G1产品技术参数资料

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