STD35NF06LT4,920-6604,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
STD35NF06LT4
库存编号:
920-6604
STMicroelectronics STD35NF06LT4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD35NF06LT4产品详细信息

N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD35NF06LT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  1700 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  80 W  
  最大连续漏极电流  35 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  17 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±15 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STD35NF06LT4产品技术参数资料

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