IXFK48N50,920-0870,IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装

制造商零件编号:
IXFK48N50
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
920-0870
IXYS IXFK48N50
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFK48N50产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? 系列

IXFK48N50产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  19.96mm  
  尺寸  19.96 x 5.13 x 26.16mm  
  典型关断延迟时间  100 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  8400 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  270 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-264AA  
  高度  26.16mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.13mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 W  
  最大连续漏极电流  48 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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QQ:800152669

IXFK48N50产品技术参数资料

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