CMF10120D,919-9742,Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装 ,Wolfspeed
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
CMF10120D
库存编号：
919-9742
Wolfspeed CMF10120D
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

CMF10120D产品详细信息

Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET

Wolfspeed Z-Fet?、C2M? 和 C3M? 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。

• 增强模式 N 通道 SiC 技术
• 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动
• 高速切换，具有低接通电阻
• 防闩锁操作

CMF10120D产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  典型关断延迟时间  38 ns  
  典型接通延迟时间  8.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  928 pF @ 800 V  
  典型栅极电荷@Vgs  47.1 nC @ 20 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管材料  SiC  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  134 W  
  最大连续漏极电流  24 A  
  最大漏源电压  1200 V  
  最大漏源电阻值  240 mΩ  
  最大栅阈值电压  4.1V  
  最大栅源电压  -5 → +25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

CMF10120D产品技术参数资料

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