SI4056DY-T1-GE3,919-4227,Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4056DY-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
919-4227
Vishay SI4056DY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI4056DY-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET?,Vishay Semiconductor

SI4056DY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  900 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19.6 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  ThunderFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  5.7 W  
  最大连续漏极电流  11.1 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  31 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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SI4056DY-T1-GE3产品技术参数资料

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