SUM110P06-08L-E3,919-0922,Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
919-0922
Vishay SUM110P06-08L-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SUM110P06-08L-E3产品详细信息

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor

SUM110P06-08L-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.41 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  140 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  9200 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  160 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  3.75 W  
  最大连续漏极电流  110 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.008 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SUM110P06-08L-E3产品技术参数资料

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