SD2931-10W,917-3356,STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET SD2931-10W, 20 A, Vds=125 V, 4引脚 M174封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET SD2931-10W, 20 A, Vds=125 V, 4引脚 M174封装

制造商零件编号：
SD2931-10W
库存编号：
917-3356
STMicroelectronics SD2931-10W
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SD2931-10W产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

SD2931-10W产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  26.67mm  
  尺寸  26.67 x 24.89 x 4.11mm  
  封装类型  M174  
  高度  4.11mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  24.89mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  389 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  125 V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +200 °C  
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