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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 16.51mm
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	16 ns
典型输入电容值@Vds	4820 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	19 nC @ 50 V
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
正向二极管电压	1.3V
正向跨导	140S
最大功率耗散	230 W
最大连续漏极电流	97 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	0.009 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Infineon 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm   典型关断延迟时间 43 ns  Infineon 典型关断延迟时间 43 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 4820 pF @ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4820 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4820 pF @ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4820 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 50 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 50 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.51mm  Infineon 高度 16.51mm  MOSFET 晶体管 高度 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.51mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.3V  Infineon 正向二极管电压 1.3V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.3V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.3V   正向跨导 140S  Infineon 正向跨导 140S  MOSFET 晶体管 正向跨导 140S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 140S   最大功率耗散 230 W  Infineon 最大功率耗散 230 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W   最大连续漏极电流 97 A  Infineon 最大连续漏极电流 97 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 97 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 97 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 0.009 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.009 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.009 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.009 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• IRFB4410ZGPbF, HEXFET Power MOSFET