IRFIB41N15DPBF,907-5022,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
IRFIB41N15DPBF
库存编号:
907-5022
Infineon IRFIB41N15DPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFIB41N15DPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFIB41N15DPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.54mm  
  尺寸  10.54 x 4.69 x 8.77mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  2520 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  72 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  8.77mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.69mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.3V  
  正向跨导  18S  
  最大功率耗散  48 W  
  最大连续漏极电流  41 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  40 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

IRFIB41N15DPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.54mm  Infineon 长度 10.54mm  MOSFET 晶体管 长度 10.54mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.54mm   尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm   典型关断延迟时间 25 ns  Infineon 典型关断延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 2520 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 2520 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2520 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2520 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Infineon 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 8.77mm  Infineon 高度 8.77mm  MOSFET 晶体管 高度 8.77mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 8.77mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.69mm  Infineon 宽度 4.69mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.69mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.69mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.3V  Infineon 正向二极管电压 1.3V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.3V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.3V   正向跨导 18S  Infineon 正向跨导 18S  MOSFET 晶体管 正向跨导 18S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 18S   最大功率耗散 48 W  Infineon 最大功率耗散 48 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 48 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 48 W   最大连续漏极电流 41 A  Infineon 最大连续漏极电流 41 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 41 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 41 A   最大漏源电压 150 V  Infineon 最大漏源电压 150 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V   最大漏源电阻值 40 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 40 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号