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安装类型	通孔
长度	15.75mm
尺寸	15.75 x 5.15 x 20.15mm
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	19 ns
典型输入电容值@Vds	1700 pF @ 400 V
典型栅极电荷@Vgs	105 nC @ 20 V
封装类型	Hip247
高度	20.15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.15mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	3.5V
最大功率耗散	270 W
最大连续漏极电流	45 A
最大漏源电压	1200 V
最大漏源电阻值	0.1 Ω
最大栅源电压	-10 → +25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+200 °C
关键词

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• SCT30N120, Silicon Carbide Power MOSFET 45A, 1200V, 90mOhm N-Channel in HiP247