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安装类型	表面贴装
长度	10.58mm
尺寸	10.58 x 10.1 x 2.4mm
典型关断延迟时间	76 ns
典型接通延迟时间	38 ns
典型输入电容值@Vds	16000 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	216 nC @ 10 V
封装类型	HSOF
高度	2.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	10.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	OptiMOS 5
引脚数目	8
正向二极管电压	1V
正向跨导	320S
最大功率耗散	375 W
最大连续漏极电流	300 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	0.001 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.58mm  Infineon 长度 10.58mm  MOSFET 晶体管 长度 10.58mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.58mm   尺寸 10.58 x 10.1 x 2.4mm  Infineon 尺寸 10.58 x 10.1 x 2.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.58 x 10.1 x 2.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.58 x 10.1 x 2.4mm   典型关断延迟时间 76 ns  Infineon 典型关断延迟时间 76 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns   典型接通延迟时间 38 ns  Infineon 典型接通延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 38 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 38 ns   典型输入电容值@Vds 16000 pF @ 30 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 16000 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 16000 pF @ 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 16000 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 216 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 216 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 216 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 216 nC @ 10 V   封装类型 HSOF  Infineon 封装类型 HSOF  MOSFET 晶体管 封装类型 HSOF  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 HSOF   高度 2.4mm  Infineon 高度 2.4mm  MOSFET 晶体管 高度 2.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.4mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 10.1mm  Infineon 宽度 10.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 10.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 5  Infineon 系列 OptiMOS 5  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 5  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 5   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1V  Infineon 正向二极管电压 1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V   正向跨导 320S  Infineon 正向跨导 320S  MOSFET 晶体管 正向跨导 320S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 320S   最大功率耗散 375 W  Infineon 最大功率耗散 375 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大连续漏极电流 300 A  Infineon 最大连续漏极电流 300 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 300 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 300 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 0.001 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.001 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.001 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.001 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V
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