BSC016N06NS,906-4325,Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号:
BSC016N06NS
库存编号:
906-4325
Infineon BSC016N06NS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSC016N06NS产品详细信息

Infineon OptiMOS?5 功率 MOSFET

BSC016N06NS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6mm  
  尺寸  6 x 5 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  35 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  5200 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  71 nC @ 10 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 5  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  140S  
  最大功率耗散  139 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.0024 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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