BSC011N03LS,906-4280,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LS, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC011N03LS, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号：
BSC011N03LS
库存编号：
906-4280
Infineon BSC011N03LS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSC011N03LS产品详细信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rds(on)

BSC011N03LS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.1mm  
  尺寸  6.1 x 5.35 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  37 ns  
  典型接通延迟时间  6.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  4700 pF @ 15 v  
  典型栅极电荷@Vgs  36 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1V  
  正向跨导  170S  
  最大功率耗散  96 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.0014 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.1mm  Infineon 长度 6.1mm  MOSFET 晶体管 长度 6.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.1mm   尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  Infineon 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.35 x 1.1mm   典型关断延迟时间 37 ns  Infineon 典型关断延迟时间 37 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns   典型接通延迟时间 6.7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 6.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.7 ns   典型输入电容值@Vds 4700 pF @ 15 v  Infineon 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ 15 v  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ 15 v  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ 15 v   典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 4.5 V   封装类型 TDSON  Infineon 封装类型 TDSON  MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.35mm  Infineon 宽度 5.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS  Infineon 系列 OptiMOS  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1V  Infineon 正向二极管电压 1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V   正向跨导 170S  Infineon 正向跨导 170S  MOSFET 晶体管 正向跨导 170S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 170S   最大功率耗散 96 W  Infineon 最大功率耗散 96 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W   最大连续漏极电流 100 A  Infineon 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.0014 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.0014 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0014 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0014 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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