STS7P4LLF6,906-2864,STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
STS7P4LLF6
库存编号:
906-2864
STMicroelectronics STS7P4LLF6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STS7P4LLF6产品详细信息

N 通道 STripFET? F6,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STS7P4LLF6产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  148 ns  
  典型接通延迟时间  43 ns  
  典型输入电容值@Vds  2850 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET F6  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.1V  
  最大功率耗散  2.7 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  29 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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