SI4435DY,903-4412,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4435DY
库存编号:
903-4412
Fairchild Semiconductor SI4435DY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI4435DY产品详细信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

SI4435DY产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.57mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  1604 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  24S  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  8.8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.035 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

SI4435DY相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.57mm   典型关断延迟时间 42 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 42 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 1604 pF @ -15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1604 pF @ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1604 pF @ -15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1604 pF @ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 5 V   封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.57mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.57mm  MOSFET 晶体管 高度 1.57mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.57mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 24S  Fairchild Semiconductor 正向跨导 24S  MOSFET 晶体管 正向跨导 24S  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 24S   最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 8.8 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 8.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.8 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.8 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.035 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 0.035 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.035 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.035 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4435DY产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号