SPD30P06P G,898-6864,Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD30P06P G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD30P06P G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
SPD30P06P G
库存编号:
898-6864
Infineon SPD30P06P G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SPD30P06P G产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

SPD30P06P G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.41mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  1228 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  32 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.41mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.7V  
  正向跨导  10.4S  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  30 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  75 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

SPD30P06P G相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm   典型关断延迟时间 30 ns  Infineon 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Infineon 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1228 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.41mm  Infineon 高度 2.41mm  MOSFET 晶体管 高度 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.41mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.7V  Infineon 正向二极管电压 1.7V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.7V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.7V   正向跨导 10.4S  Infineon 正向跨导 10.4S  MOSFET 晶体管 正向跨导 10.4S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 10.4S   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 30 A  Infineon 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 75 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 75 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPD30P06P G产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号