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安装类型	通孔
长度	16.13mm
尺寸	16.13 x 21.1 x 5.21mm
典型关断延迟时间	200 ns
典型接通延迟时间	45 ns
典型输入电容值@Vds	7520 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	288 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	5.21mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	21.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	CoolMOS C3
引脚数目	3
正向二极管电压	0.95V
最大功率耗散	500 W
最大连续漏极电流	54.9 A
最大漏源电压	850 V
最大漏源电阻值	85 mΩ
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  Infineon 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 21.1 x 5.21mm   典型关断延迟时间 200 ns  Infineon 典型关断延迟时间 200 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns   典型接通延迟时间 45 ns  Infineon 典型接通延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns   典型输入电容值@Vds 7520 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 7520 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7520 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7520 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 288 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 288 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 288 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 288 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 5.21mm  Infineon 高度 5.21mm  MOSFET 晶体管 高度 5.21mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 5.21mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 21.1mm  Infineon 宽度 21.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 21.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 0.95V  Infineon 正向二极管电压 0.95V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.95V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.95V   最大功率耗散 500 W  Infineon 最大功率耗散 500 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W   最大连续漏极电流 54.9 A  Infineon 最大连续漏极电流 54.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 54.9 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 54.9 A   最大漏源电压 850 V  Infineon 最大漏源电压 850 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 850 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 850 V   最大漏源电阻值 85 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 85 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 85 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 85 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• SPW55N80C3 CoolMOS C3 Power Transistor