IPZ65R019C7,897-7661,Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IPZ65R019C7
库存编号:
897-7661
Infineon IPZ65R019C7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPZ65R019C7产品详细信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

IPZ65R019C7产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 21.1 x 5.21mm  
  典型关断延迟时间  106 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  9900 pF @ 400 V  
  典型栅极电荷@Vgs  215 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  5.21mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  21.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C7  
  引脚数目  4  
  正向二极管电压  0.9V  
  最大功率耗散  446 W  
  最大连续漏极电流  75 A  
  最大漏源电压  700 V  
  最大漏源电阻值  19 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPZ65R019C7产品技术参数资料

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