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安装类型	通孔
长度	15.7mm
尺寸	15.7 x 5.7 x 24.7mm
典型关断延迟时间	500 ns
典型接通延迟时间	33 ns
典型输入电容值@Vds	2025 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	114 nC @ 10 V
封装类型	TO-3PF
高度	24.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.5V
正向跨导	5.2S
最大功率耗散	78 W
最大连续漏极电流	9 A
最大漏源电压	1500 V
最大漏源电阻值	3 Ω
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.7mm  ON Semiconductor 长度 15.7mm  MOSFET 晶体管 长度 15.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 15.7mm   尺寸 15.7 x 5.7 x 24.7mm  ON Semiconductor 尺寸 15.7 x 5.7 x 24.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 24.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 24.7mm   典型关断延迟时间 500 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 500 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 500 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 500 ns   典型接通延迟时间 33 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 33 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 33 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 33 ns   典型输入电容值@Vds 2025 pF @ 30 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 2025 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2025 pF @ 30 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2025 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 114 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 114 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 114 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 114 nC @ 10 V   封装类型 TO-3PF  ON Semiconductor 封装类型 TO-3PF  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PF  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PF   高度 24.7mm  ON Semiconductor 高度 24.7mm  MOSFET 晶体管 高度 24.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 24.7mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.7mm  ON Semiconductor 宽度 5.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.7mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.5V  ON Semiconductor 正向二极管电压 1.5V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.5V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.5V   正向跨导 5.2S  ON Semiconductor 正向跨导 5.2S  MOSFET 晶体管 正向跨导 5.2S  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 5.2S   最大功率耗散 78 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 78 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 78 W   最大连续漏极电流 9 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A   最大漏源电压 1500 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 1500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1500 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1500 V   最大漏源电阻值 3 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 3 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω   最大栅源电压 ±30 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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