PD55008-E,877-2810,STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装

制造商零件编号:
PD55008-E
库存编号:
877-2810
STMicroelectronics PD55008-E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PD55008-E产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

PD55008-E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.5mm  
  尺寸  9.5 x 9.4 x 3.5mm  
  典型功率增益  17 dB  
  典型输入电容值@Vds  58 pF @ 12.5 V  
  封装类型  PowerSO  
  高度  3.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  52.8 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +165 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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