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安装类型	表面贴装
长度	25.25mm
尺寸	25.25 x 23.25 x 5.7mm
典型关断延迟时间	110 ns
典型接通延迟时间	53 ns
典型输入电容值@Vds	19000 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	310 nC @ 10 V
封装类型	SMPD
高度	5.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	23.25mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Polar
引脚数目	24
正向二极管电压	1.5V
正向跨导	32S
最大功率耗散	500 W
最大连续漏极电流	24 A
最大漏源电压	1100 V
最大漏源电阻值	290 mΩ
最大栅阈值电压	6.5V
最大栅源电压	±40 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• MMIX1F40N110P, Polar HiperFET Power MOSFET N-Channel 1100V 24A SMPD