MDU1512RH,871-5000,MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1512RH, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装 ,MagnaChip
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1512RH, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装

制造商零件编号:
MDU1512RH
库存编号:
871-5000
MagnaChip MDU1512RH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MDU1512RH产品详细信息

低电压 (LV) MOSFET

这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

MDU1512RH产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.1mm  
  尺寸  6.1 x 5.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  39.4 ns  
  典型接通延迟时间  12.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  2153 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  35.3 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerDFN56  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.1V  
  正向跨导  42S  
  最大功率耗散  69.4 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  5 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.7V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MDU1512RH产品技术参数资料

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