FDMS86200DC,864-8449,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200DC, 40 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200DC, 40 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号:
FDMS86200DC
库存编号:
864-8449
Fairchild Semiconductor FDMS86200DC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDMS86200DC产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor

FDMS86200DC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 5.85 x 1mm  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  2110 pF @ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  30 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.85mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  40 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  35 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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