IRF5806TRPBF,830-3509,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5806TRPBF, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5806TRPBF, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
IRF5806TRPBF
库存编号:
830-3509
Infineon IRF5806TRPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF5806TRPBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF5806TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  94 ns  
  典型接通延迟时间  6.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  594 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.3 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  147 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.45V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF5806TRPBF产品技术参数资料

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